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IRL1004
10000
8000
6000
C iss
V GS = 0V,   f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
12
10
8
I D = 78 A
V DS = 32V
V DS = 20V
6
4000
C oss
4
2000
C rss
2
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
30
60
90
SEE FIGURE 13
120    150
180
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
T J = 175 C
100
°
1000
10us
T J = 25 C
10
1
°
100
10
100us
1ms
10ms
0.1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
V GS = 0 V
2.5
3.0
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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